SPB18P06P參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：SIPMOS®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：18.7A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：130毫歐@13.2A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：28nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：860pF@25V功率-最大值：81.1W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-3
